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三星研制出全球首个30纳米DRAM芯片

http://www.httx06.com/ 2010-02-02 来源:四川热线 人气:

  据国外媒体报道,三星电子周一表示该公司研制出全球首个30纳米DRAM(动态随机存储记忆体)芯片。该芯片的容量为2GB。三星将于今年下半年开始大规模生产。

  三星表示,比起现有的40纳米DRAM技术,新技术可以将生产效率提高60%。

  同时,30纳米DRAM芯片也更加环保。这种芯片的功耗只相当于40纳米DRAM芯片的85%。

  去年1月,三星开发出40纳米DRAM芯片,并从去年7月份开始大规模生产。三星预计该公司在30纳米DRAM芯片技术上比其他芯片制造商要领先一年。

 

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