大家都知道，芯片制造离不开光刻机，尤其是EUV光刻机，可是制造7nm及以下制程芯片的必要设备。因此，ASML才会格外受到关注，并且实现了业绩的大幅提升。
但光刻机仅是芯片制造过程所需设备的其中一种，还需要蚀刻机、离子注入机、镀膜机、晶圆划片机、晶片减薄机、抛光机、清洗机等多种设备，少了哪一个设备也不行。
芯片生产设备就是芯片大规模制造的基础，我国目前在高端芯片制造上有差距，很大一方面原因就在于芯片制造设备的落后。而造成这种状况，主要是以下两方面原因：
一是长期以来的“造不如买”的思潮。总是寄希望于西方的设备，可以直接买来用。
二是西方一直对我们进行阻挠和限制。这个从之前的《瓦森纳协议》，到近两年的美方芯片改规，一直在通过限制技术、软件、先进设备等出口，来阻挠我们科技发展。
尤其是在针对半导体方面，不仅限制了台积电给华为代工芯片，还重点限制了先进芯片设备的出口。最明显的就是ASML的EUV光刻机，一直限制卖给大陆的晶圆企业。
中芯国际几年前订购的一台EUV光刻机，因为美方的阻挠，至今不能到货。如果不是因为EUV光刻机的阻挠，恐怕中芯国际将会是全球第三个突破7nm芯片的晶圆厂。
不过，阻挠并不能阻碍我们的发展，反而让我们觉醒，开始注重自研去全力突破。
如今，我们大陆芯片行业的各个环节都掀起了建设热潮，西方的阻挠已经堵不住了。
近日，好消息传来，又一国产芯片设备实现突破。据消息显示，该设备是中国长城旗下的郑州轨交院研制推出的全自动12寸晶圆激光开槽设备，支持超薄晶圆全切工艺。
厉害的是，这个设备支持5nmDBG工艺。也就是说，可以用于5nm制程工艺的芯片生产线。这可是继国产5nm蚀刻机后，又一国产芯片设备可用于5nm芯片制造。
5nm工艺可是目前芯片制造量产的最先进技术，全球现在也只有台积电和三星能够量产5nm芯片。由此可见，我们大陆的芯片制造设备方面，正在加速前进不断突破。
这个设备的突破只是其中之一，我们其他的芯片制造设备也都在加快研发取得进步。
一是光刻机方面。光刻机我们虽然落后，但也是全球三个能够生产光刻机的国家之一。主要是因为有上海微电子，虽然芯片制造用光刻机仅90nm，但更先进的也在研发。
值得一提的是，上海微电子在芯片封测光刻机方面做得很不错，国内占到80%左右的市场份额，在全球也占到40%。前段时间，国内首台2.5D/3D封装光刻机已交付。
上海微电子在封装光刻机方面的成就，意味着国外在先进封装设备上无法再卡脖子。
二是蚀刻机方面。蚀刻机是仅次于光刻机的重要性存在，在芯片制造过程中用的数量最多。在国产蚀刻机突破之前，国外这个设备不仅很昂贵，还像EUV一样限制出售。
然而，在2015年这个情况发生改变，尹志尧博士带领团队回国创办了中微半导体，经过长达11年潜力研发，实现5nm蚀刻机突破，国外迅速解除限制，并且大幅降价。
三是其他设备方面。除了光刻机、蚀刻机方面在进步，其他设备虽然精度还不高，也都在向前推进。像中国电科旗下实现了可用于28nm的离子注入机全谱系国产化突破。
还有芯源微前道涂胶显影设备实现批量生产，至纯科技清洗设备完成28nm认证。
还有先进光刻机也早就布局，华卓精科、国望光学、科益虹源等都在各个环节进行技术攻坚，不断取得突破性进展。像国望光学的光刻机曝光系统生产基础项目已经投产。
由此看来，想要限制我们发展，已经堵不住了，这就是美方改规后果的作用显现！
